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IT之家 5 月 31 日消息，據(jù) BusinessKorea 報(bào)道，韓國(guó)進(jìn)出口銀行海外經(jīng)濟(jì)研究所（OERI）估計(jì)，韓國(guó)在 DRAM 技術(shù)方面比中國(guó)領(lǐng)先 5 年，NAND 閃存方面領(lǐng)先 2 年。

該研究機(jī)構(gòu)在 5 月 30 日表示，今年中國(guó)的 DRAM 制造商長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)正在推動(dòng)第二代 10nm 級(jí)（1y 或 16 納米至 17 納米）DRAM 的大規(guī)模生產(chǎn)。另一方面，三星電子和 SK 海力士正計(jì)劃在今年年底或明年大規(guī)模生產(chǎn)第五代 10nm 級(jí)（1b 或 12 納米至 13 納米）DRAM?？紤]到每一代的技術(shù)差距約為兩年到兩年半，兩國(guó)的技術(shù)差距超過五年。

特別是，三星和 SK 海力士已經(jīng)引進(jìn)了用于超微制造工藝的極紫外光（EUV）設(shè)備，或正計(jì)劃引進(jìn)，但由于中國(guó)公司很難引進(jìn) EUV 設(shè)備，為此許多專家表示，中國(guó)要縮小與韓國(guó)的技術(shù)差距并不容易。

中國(guó)芯片制造商的良率也很低。OERI 分析說，2019 年開始批量生產(chǎn)第一代 10nm 級(jí)（1x 或 18 納米至 19 納米）DRAM 的長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)，即使兩年過去了，其良率仍在 75% 左右掙扎。據(jù)了解，其第二代 DRAM 的良率也在 40% 左右。分析師說，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)的 DRAM 市場(chǎng)份額，截至去年年底還不到 1%，不會(huì)出現(xiàn)大幅反彈。

IT之家了解到，在 NAND 閃存方面，該機(jī)構(gòu)估計(jì)中國(guó)與韓國(guó)的技術(shù)差距約為兩年。中國(guó)存儲(chǔ)半導(dǎo)體公司長(zhǎng)江存儲(chǔ)在 2021 年 8 月開始大規(guī)模生產(chǎn)第六代（128 層）3D NAND 閃存，三星和 SK 海力士自 2019 年以來一直在大規(guī)模生產(chǎn)該閃存。韓國(guó)公司計(jì)劃從今年年底到明年年初大規(guī)模生產(chǎn)超過 200 層的 NAND 閃存，但長(zhǎng)江存儲(chǔ)預(yù)計(jì)要到 2024 年才能做到。

然而，一個(gè)變數(shù)是，蘋果目前正在考慮在 iPhone 中使用長(zhǎng)江存儲(chǔ)的 NAND 閃存。在這種情況下，預(yù)計(jì)長(zhǎng)江存儲(chǔ)將通過擴(kuò)大投資大力追逐韓國(guó)芯片制造商。特別是，NAND 閃存領(lǐng)域與 DRAM 行業(yè)不同，是一個(gè)成長(zhǎng)中的行業(yè)，所以有很多變數(shù)。專家說，如果有五六家 NAND 閃存公司迅速擴(kuò)大產(chǎn)能，就會(huì)出現(xiàn)價(jià)格競(jìng)爭(zhēng)，這可能會(huì)使 NAND 閃存市場(chǎng)份額的排名發(fā)生變化。

此外該機(jī)構(gòu)還稱，韓國(guó)在代工技術(shù)方面領(lǐng)先中國(guó)約 5 年。目前，韓國(guó)的三星電子和中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)積電正在大規(guī)模生產(chǎn) 4 至 5 納米的芯片。另一方面，中國(guó)的中芯國(guó)際處于 14 納米的水平，落后兩到三代。