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1、電子材料是指在電子技術(shù)和微電子技術(shù)中使用的材料，包括半導(dǎo)體材料、介電材料、壓電及鐵電材料、磁性材料、某些金屬材料、高分子材料以及其他相關(guān)材料，其中最重要的是半導(dǎo)體材料。

2、在電子和微電子技術(shù)中，半導(dǎo)體材料主要用來制做晶體管、集成電路、固態(tài)激光器和探測器等器件。1906年發(fā)明真空三極管，奠定了本世紀(jì)上半葉無線電電子學(xué)發(fā)展的基礎(chǔ)，但采用真空管的裝備體積笨重、能耗大、故障率高。1948年發(fā)明了半導(dǎo)體晶體管，使電子設(shè)備走向小型化、輕量化、省能化，晶體管的功耗僅為電子管的百萬分之一。1958年出現(xiàn)了集成電路，集成電路的發(fā)展帶來了電子計(jì)算機(jī)的微小型化，從而使人類社會(huì)掀開了信息時(shí)代新的一頁。目前制造集成電路的主要材料是硅單晶。硅的主要特性是機(jī)械強(qiáng)度高、結(jié)晶性好、自然界中儲(chǔ)量豐富、成本低，并且可以拉制出大尺寸的硅單晶?？梢哉f，硅材料是大規(guī)模集成電路的基石。

3、硅固然是取之不盡、用之不竭的原材料，但化合物半導(dǎo)體材料，如砷化鎵很可能成為繼硅之后第二種最重要的半導(dǎo)體材料。因?yàn)榕c硅相比，砷化鎵具有更高的禁帶寬度，因而砷化鎵器件可以用于更高的工作溫度，又由于它具有更高的電子遷移率，所以可用于要求更高頻率和更高開關(guān)速度的場合，這也就使它成為制造高速計(jì)算機(jī)的關(guān)鍵材料。砷化鎵材料更重要的一個(gè)特性是它的光電效應(yīng)，可以使它成為激光光源，這是實(shí)現(xiàn)光纖通信的關(guān)鍵，因而預(yù)計(jì)砷化鎵材料在21世紀(jì)將有一個(gè)大發(fā)展。

4、在高真空條件下，采用分子速外延、化學(xué)氣相沉積、液相外延、金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積、化學(xué)束外延等方法，在晶體襯底上一層疊一層地生長出不同材料的薄膜來，每層只有幾個(gè)原子層厚，這樣生長出來的材料叫超晶格材料。超晶格的出現(xiàn)將為半導(dǎo)體材料、器件的發(fā)展開辟更新的天地。