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1、SLC全稱為Single-LevelCell，單層單元閃存。SLC為NAND閃存架構(gòu)，其每一個單元儲存一位數(shù)據(jù)。

2、SLC 閃存始終處于以下兩種狀態(tài)之一：已編程 (0) 或已擦除 (1)。狀態(tài)由施加到電池的電荷水平?jīng)Q定。因為只有兩種選擇，零或一，可以快速解釋單元的狀態(tài)，減少誤碼的機會。單個 SLC 存儲單元在發(fā)生故障之前可以維持大約 100,000 次寫入操作。一旦一個單元被寫入其限制，該單元就會開始忘記存儲的內(nèi)容，并且可能會發(fā)生數(shù)據(jù)損壞。