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1、內(nèi)存時(shí)序（英語(yǔ)：Memory timings或RAM timings）是描述同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（SDRAM）性能的四個(gè)參數(shù)：CL、TRCD、TRP和TRAS，單位為時(shí)鐘周期。它們通常被寫為四個(gè)用破折號(hào)分隔開的數(shù)字，例如7-8-8-24。

2、第四個(gè)參數(shù)（RAS）經(jīng)常被省略，而有時(shí)還會(huì)加入第五個(gè)參數(shù)：Command rate（命令速率），通常為2T或1T，也寫作2N、1N。這些參數(shù)指定了影響隨機(jī)存取存儲(chǔ)器速度的潛伏時(shí)間（延遲時(shí)間）。較低的數(shù)字通常意味著更快的性能。決定系統(tǒng)性能的最終元素是實(shí)際的延遲時(shí)間，通常以納秒為單位。