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        SK海力士：成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)NAND閃存，擬2023年量產(chǎn)
        
      
        更新時間：2022-08-03 08:20:46作者：佚名 
        
    
        
 
    
        

        SK海力士：成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)NAND閃存，擬2023年量產(chǎn)
        
      
        8月3日，SK海力士宣布成功研發(fā)全球首款業(yè)界最高層數(shù)的238層NAND閃存。SK海力士向客戶發(fā)送了238層 512Gb TLC（Triple Level Cell）* 4D NAND閃存的樣品，并計劃在2023年上半年正式投入量產(chǎn)。公司表示，此次238層NAND閃存在達(dá)到業(yè)界最高堆棧層數(shù)的同時實現(xiàn)了全球最小的面積。
            
        
    
   
         本文標(biāo)簽：  海力士  閃存  最高層  nand  sk