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6月23日，中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究院發(fā)布訃告稱，中國共產(chǎn)黨優(yōu)秀黨員、中國工程院院士、中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所研究員、我國著名半導(dǎo)體材料學(xué)家、我國早期半導(dǎo)體硅材料的奠基人梁駿吾先生因病醫(yī)治無效，不幸于2022年6月23日17時在北京逝世，享年89歲。半導(dǎo)體研究所和半導(dǎo)體材料科學(xué)領(lǐng)域為失去這樣一位學(xué)科泰斗，扼腕痛惜；梁氏家族為失去這樣一位摯愛親人，無限悲痛；學(xué)生弟子，為失去這樣一位良師，深切哀悼。

梁駿吾院士，1933年9月18日生于湖北武漢。1955年畢業(yè)于武漢大學(xué)，1956年至1960年就讀于前蘇聯(lián)科學(xué)院莫斯科巴依可夫冶金研究所并獲得副博士學(xué)位，同年到中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所工作至今。60多年來，他為我國半導(dǎo)體材料領(lǐng)域的學(xué)科建設(shè)、技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)業(yè)振興以及人才培養(yǎng)作出了重要貢獻。梁駿吾院士先后榮獲國家科委科技成果二等獎和新產(chǎn)品二等獎各1次，國家科技進步三等獎1次、中科院重大成果和科技進步一等獎3次、二等獎4次，上海市科技進步二等獎1次等各種科技獎共20余次。1997年當(dāng)選中國工程院院士。

梁駿吾院士在半導(dǎo)體材料科學(xué)領(lǐng)域辛勤耕耘、造詣頗深，并取得了一系列重要科研成果。上世紀60年代解決了高純區(qū)熔硅的關(guān)鍵技術(shù)。1964年制備出室溫激光器用GaAs液相外延材料。1979年研制成功為大規(guī)模集成電路用的無位錯、無旋渦、低微缺陷、低碳、可控氧量的優(yōu)質(zhì)硅區(qū)熔單晶。80年代首創(chuàng)了摻氮中子嬗變硅單晶，解決了硅片的完整性和均勻性的問題。90年代初研究MOCVD生長超晶格量子阱材料，在晶體完整性、電學(xué)性能和超晶格結(jié)構(gòu)控制方面，將中國超晶格量子阱材料推進到實用水平。主持“七五”、“八五”重點硅外延攻關(guān)，完成了微機控制、光加熱、低壓硅外延材料生長和設(shè)備的研究。他還在太陽電池用多晶硅的研究和產(chǎn)業(yè)化等方面發(fā)揮著積極作用。