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中國(guó)基金報(bào)記者 文夕

國(guó)內(nèi)碳化硅（SiC）賽道環(huán)節(jié)現(xiàn)巨額出貨。

11月7日晚間，市值超900億的化合物半導(dǎo)體龍頭三安光電宣布實(shí)現(xiàn)第三代半導(dǎo)體材料SiC芯片出貨。該公司公告顯示，其全資子公司湖南三安與新能源汽車客戶簽署了價(jià)值38億元的SiC芯片《戰(zhàn)略采購(gòu)意向協(xié)議》，采購(gòu)產(chǎn)品將應(yīng)用于新能源車主驅(qū)。

作為第三代半導(dǎo)體材料，近期SiC市場(chǎng)需求面臨爆發(fā)，不少賽道內(nèi)玩家正積極擴(kuò)產(chǎn)。此前國(guó)內(nèi)廠商市占率長(zhǎng)期較低，真正能夠?qū)崿F(xiàn)出貨的公司并不多，三安光電此次拿下長(zhǎng)單，也意味著國(guó)產(chǎn)替代正加速演進(jìn)。

鎖定4年長(zhǎng)單

公告顯示，根據(jù)雙方11月6日簽署的《戰(zhàn)略采購(gòu)意向協(xié)議》，需方承諾自2024年至2027年確保向湖南三安每年采購(gòu)碳化硅芯片，超出部分由雙方協(xié)商確?；?022年市場(chǎng)價(jià)格感知，包含2023年產(chǎn)生的研發(fā)業(yè)務(wù)需求，至2027年預(yù)估該金額總數(shù)為38億元（含稅）。

由于涉及商業(yè)敏感信息，三安光電并未披露新能源車企具體名稱。三安光電表示，本次向需方供應(yīng)的碳化硅芯片將應(yīng)用于新能源車主驅(qū)，有利于進(jìn)一步提高公司產(chǎn)品市場(chǎng)占有率。

據(jù)了解，湖南三安系三安光電重要子公司，主要從事碳化硅、硅基氮化鎵等第三代化合物半導(dǎo)體的研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化，該公司投資總額高達(dá)160億元，項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后配套產(chǎn)能約36萬片/年。截止2022年6月末，湖南三安已到產(chǎn)能6000片/月。

公開信息顯示，三安光電目前SiC制程現(xiàn)以6寸為主，8寸SiC晶體在擴(kuò)徑中。“湖南三安8寸產(chǎn)能正在逐步爬坡，目標(biāo)用2-3年的時(shí)間，規(guī)劃配套產(chǎn)能3萬片/月，”該公司近期在互動(dòng)平臺(tái)中表示。

目前，三安光電積極拓展碳化硅市場(chǎng)，二極管產(chǎn)品已覆蓋PFC電源、車載充電機(jī)、光伏逆變器、家電等應(yīng)用領(lǐng)域，主要客戶包括國(guó)內(nèi)某知名客戶、威邁斯、弗迪動(dòng)力（比亞迪）、陽光電源、古瑞瓦特英威騰、格力等客戶。

此外，今年3月23日，湖南三安與理想汽車的關(guān)聯(lián)公司北京車和家汽車科技有限公司，共同設(shè)立合資公司蘇州斯科半導(dǎo)體有限公司。該子公司主要專注于SiC車規(guī)芯片模組的研發(fā)及生產(chǎn)，預(yù)計(jì)2023年5月啟動(dòng)樣品試制，2024正式投產(chǎn)后逐步形成年產(chǎn)240萬只半橋生產(chǎn)能力。

新能源汽車產(chǎn)業(yè)受益明顯

第三代半導(dǎo)體是以氮化鎵（GaN）、碳化硅（SiC）為代表的化合物半導(dǎo)體，該類半導(dǎo)體材料禁帶寬度大于或等于2.3eV，因此也被稱為寬禁帶半導(dǎo)體材料。第三代半導(dǎo)體在禁帶寬度、擊穿電場(chǎng)、熱導(dǎo)率、電子飽和速率、抗輻射能力等關(guān)鍵參數(shù)方面具有顯著優(yōu)勢(shì)，滿足了現(xiàn)代工業(yè)對(duì)高功率、高電壓、高頻率的需求。

銀河證券一份研報(bào)顯示，從SiC功率器件的應(yīng)用來看，由于SiC功率器件能夠顯著提升新能源汽車的性能，如提升續(xù)航能力和充電速率，以及實(shí)現(xiàn)汽車的輕量化，因此SiC功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用比例最高，其次為電源設(shè)備、光伏發(fā)電和國(guó)防軍工領(lǐng)域，占比分別為21%、17%和11%。

根據(jù)Yole測(cè)算，僅SiC器件中的功率器件的市場(chǎng)規(guī)模將從2021年的 10.90億美金增長(zhǎng)至2027年的62.97億美金，復(fù)合年增長(zhǎng)率約34%。從細(xì)分行業(yè)來看，新能源產(chǎn)業(yè)鏈和充電基礎(chǔ)設(shè)施將為增長(zhǎng)最快領(lǐng)域。

據(jù)了解，特斯拉在2018年將Model 3車型的主驅(qū)動(dòng)逆變器中已經(jīng)使用了SiC MOSFET，將Si IGBT替換為 SiC器件后，新能源汽車逆變器效率大幅提升，相同續(xù)航下對(duì)電池容量需求降低。近年來，比亞迪、蔚來、理想等車企在高端車型中均有應(yīng)用SiC MOSFET，其在充電速度、續(xù)航里程、起步加速、器件體積等方面有明顯優(yōu)勢(shì)。

在SiC功率器件領(lǐng)域，全球主要市場(chǎng)份額掌握在美國(guó)的Wolfspeed和日本的Rohm 兩大龍頭企業(yè)手中，市場(chǎng)份額分別為27%和22%，行業(yè)前四企業(yè)市占率合計(jì)73%。由于SiC 器件對(duì)穩(wěn)定性要求較高，并且驗(yàn)證周期較長(zhǎng)，因此國(guó)內(nèi)廠商切入較為緩慢。

國(guó)內(nèi)廠商競(jìng)相擴(kuò)產(chǎn)

今年以來，國(guó)內(nèi)廠商相繼啟動(dòng)新建產(chǎn)能計(jì)劃。士蘭微近日披露，公司擬定增募集資金不超過65億元，其中7.5億元用于SiC功率器件生產(chǎn)線建設(shè)項(xiàng)目，該項(xiàng)目在現(xiàn)有芯片生產(chǎn)線及配套設(shè)施的基礎(chǔ)上提升SiC功率器件芯片的產(chǎn)能，用于生產(chǎn)SiC MOSFET、SiC SBD芯片產(chǎn)品；項(xiàng)目達(dá)產(chǎn)后，將新增SiC MOSFET 芯片12 萬片/年、SiCSBD芯片2.4 萬片/年的生產(chǎn)能力。

積極擴(kuò)充SiC功率器件產(chǎn)能的還有時(shí)代電氣、斯達(dá)半導(dǎo)、新潔能等。時(shí)代電氣在近期接受機(jī)構(gòu)調(diào)研時(shí)表示，公司已投資4.6億元對(duì)原有碳化硅產(chǎn)線進(jìn)行產(chǎn)能提升，公司碳化硅產(chǎn)品在新能源車的驗(yàn)證已取得重大進(jìn)展。

不過，目前能夠?qū)崿F(xiàn)出貨的并不多，除了此次三安光電外，斯達(dá)半導(dǎo)已經(jīng)實(shí)現(xiàn)汽車SiC主驅(qū)模塊的批量出貨。而宏微科技、士蘭微有望在2023年實(shí)現(xiàn)汽車SiC主驅(qū)模塊的批量出貨。

另外，在更上游的SiC襯底片、外延片領(lǐng)域，國(guó)內(nèi)廠商也在積極擴(kuò)產(chǎn)。天岳先進(jìn)投資25億元擴(kuò)產(chǎn)6英寸導(dǎo)電型碳化硅襯底材料；露笑科技定增募資25.67億元用于大尺寸碳化硅襯底片等項(xiàng)目。只不過，這一環(huán)節(jié)國(guó)產(chǎn)企業(yè)起步較晚，市場(chǎng)基本被國(guó)外廠商壟斷。