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臺(tái)積電（TSMC）原計(jì)劃完成3nm制程節(jié)點(diǎn)的技術(shù)研發(fā)和初步試產(chǎn)后，在今年第三季度下旬提升產(chǎn)能，將N3工藝正式帶入量產(chǎn)階段。不過(guò)最終由于各種原因，一直在推遲。

據(jù)UDN報(bào)道，臺(tái)積電將于12月29日在中國(guó)臺(tái)灣的臺(tái)南科學(xué)園Fab18舉行3nm制程節(jié)點(diǎn)的量產(chǎn)儀式，期間還會(huì)有新工廠(chǎng)擴(kuò)建的典禮，以消除外界對(duì)于其3nm工藝落后于時(shí)間表的疑慮。今年臺(tái)積電的3nm制程節(jié)點(diǎn)一直處于謠言的中心，一方面有人批判臺(tái)積電以新技術(shù)為由掩蓋研發(fā)上的問(wèn)題，另有部分人則認(rèn)為現(xiàn)階段沒(méi)有足夠的訂單支持這種價(jià)格昂貴的半導(dǎo)體工藝。

臺(tái)積電一直以來(lái)都強(qiáng)調(diào)其3nm制程節(jié)點(diǎn)是按計(jì)劃推進(jìn)的，臺(tái)積電首席執(zhí)行官魏哲家在2022年第三季度財(cái)報(bào)電話(huà)會(huì)議上表示，盡管庫(kù)存調(diào)整持續(xù)，但N3和N3E的客戶(hù)參與度很高，第一年和第二年的流片數(shù)量是N5的兩倍以上，目前正在與工作供應(yīng)商密切合作，以準(zhǔn)備更多的產(chǎn)能，應(yīng)付2023年和2024年及之后的強(qiáng)勁需求。

臺(tái)積電從2022年到2025年，將陸續(xù)推出N3、N3E、N3P、N3X等制程，后續(xù)還會(huì)有優(yōu)化后的N3S制程，可涵蓋智能手機(jī)、物聯(lián)網(wǎng)、車(chē)用芯片、HPC等不同平臺(tái)的使用需求。臺(tái)積電在N3制程節(jié)點(diǎn)仍使用FinFET（鰭式場(chǎng)效應(yīng)晶體管），不過(guò)可以使用FINFLEX技術(shù)，擴(kuò)展了工藝的性能、功率和密度范圍，允許芯片設(shè)計(jì)人員使用相同的設(shè)計(jì)工具集為同一芯片上的每個(gè)關(guān)鍵功能塊選擇最佳選項(xiàng)，進(jìn)一步提升PPA（功率、性能、面積）。